半導体ロゴ

プロフィール

1.略歴

1961

大阪大学工学部電気工学科卒 松下電器産業株式会社入社

松下電子工業株式会社取締役電子総合研究所所長、同常務取締役技術本部長などを歴任

1998 松下電器産業株式会社定年退職、高知工科大学大学院基盤工学専攻起業家コース教授、同起業家コース長、総合研究所国際アフィリエイトセンター所長などを歴任
2007 高知工科大学定年退職、同大学名誉教授
2008

(財)京都高度技術研究所文部科学省知的クラスター創成事業京都環境

クラスター本部事業化デイレクター

2010 同研究所退職、同本部顧問、大阪電気通信大学客員教授
2013 同客員教授を退職後、京都工芸繊維大学大学院客員教授
2015 (米国)シンメトリック社取締役顧問(http://www.symetrixcorp.com/)、米国コロラド大学コロラドスプリングス校特任教授
2018 現在に至る。

この間、北海道大学客員教授、米国デユポン社顧問、中国哈爾浜工業大学招聘教授、米国プラズマコ社取締役、(一社)映像情報メディア学会・起業工学研究会委員長、IEEE/ISSCC (米国電気電子学会固体素子国際会議)Far Eastプログラム委員長を歴任。

半導体・デバイス、デイスプレイ・デバイスの研究開発とその事業化が主たる専門領域。高知工科大学においては、技術と経営を事業創出の視点から捉える新しい学問領域「起業工学」の分野を切り開いた。

2.著書・論文・特許

①著書

  • 「半導体デバイスとその応用」:1975 日刊工業新聞社、応用物理学会編(第1章)
  • 「映像の明日をひらく青色発光」:1997 放送文化基金財団(第4章)
  • 「プラズマテレビは社会を変える」:2008 実業の日本(編著)
  • 「映像情報メディア学会大辞典」:2010 日本映像情報メディア学会・オーム社(第12編「起業工学総説)
  • 「起業工学」・新規事業を生み出さす経営力:2012 幻冬舎ルネッサン(編著)
  • 「起業工学」・日本復活の鍵:2016 冨山房インターナショナル(監修)
  • 「起業工学」・深層探索型イノベーション:2017 (11月発刊予定)
  • 冨山房インターナショナル(編著)、他(共著含む)10編

②学術論文

  • Molybdenum –Silicon Schottky Barrier,  J. Appl. Phys. 37, 2985, 1966,
  • Reverse Characteristic of Mo-Si Epitaxial Schottky Diodes, IEEE Trans. ED-14, 822,1966,
  • Avalanche Breakdown Voltage in Punch-Through Epitaxial Schottky Diodes, Japan .J. Appl. Phys. 8, 463, 1969,
  • Theory of negative resistance of junction field-effect transistors, IEEE Solid State Circuit SC-11, 313, 1976,
  • A Low-Noise Dual Gate GaAs MESFET for UHF TV Tuner, IEEE Solid State Circuit SC-17,648,1982
  • 「日米補完協業が経済を再生するー製造業の現場から提言する新パラダイム」、東洋経済誌5446号、1998(東洋経済新報社)、他(共著含む)90編
  • 日米補完協業のPDFデータはコチラからご覧いただけます。

③国際学会発表

  • Consumer Application of Integrated Ferro Electrics; Complementary Collaboration Between US and Japan, Keynote Speech, 5th International Symposium on Integrated Ferro Electronics, 1992
  • GaAs MMIC Chip-Set for Mobile Communication System with On-Chip Ferroelectric Capacitors, IEEE ISSCC dig. tech. papers, 172, 1993
  • IP-related Feature of Japanese Company Resources for Complementary Collaboration Between US and Japan, International Seminar, US-Japan Technology Management Center, Stanford University,1996 、他(共著含む)30編

④取得特許

  • 日本取得済み特許 JP1188490, JP1106200, JP1083940,JP1022000,JP1004306,JP 981841, JP977715, JP977713, JP969491, JP961624, 他(共同発明含む)130件
  • 米国取得済み特許US4459556, US4351099, US4194927, US4143286, US4117587,US4075652, S4064525, US4053798, US3991329, US3989962, 他米国取得済み特許(共同発明含む)20件 http://patents.justia.com/inventor/gota-kano

3.受賞

  • IEEE(米国電気電子学会)フェロー(1995)
  • ISIF(国際強誘電体集積回路学会)生涯業績賞(1999)
  • IEEE(米国電気電子学会)生涯フェロー(2014)
  • Who’s Who Lifetime Achievement Award (2017)